半导体器件物理(第二版)第二章答案(共20页).doc

2-1结空间电荷区边界分别为和，利用导出表达式。给出N区空穴为小注入和大注入两种情况下的表达式。解：在处 而 （） (此为一般结果) 小注入：（） 大注入： 且 所以 或 2-2热平衡时净电子电流或净空穴电流为零，用此方法推导方程。解：净电子电流为 处于热平衡时，In0 ，又因为 所以，又因为（爱因斯坦关系）所以，从作积分，则 2-3根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证明，在外加正向偏压作用下，结侧空穴扩散区准费米能级的改变量为。证明：从积分：将代入得2-4 硅突变结二极管的掺杂浓度为：，在室温下计算：（a）自建电势（b）耗尽层宽度 （c）零偏压下的最大内建电场。 解：（a）自建电势为（b）耗尽层宽度为() 零偏压下最大内建电场为