半导体习题及答案(共41页).doc

半导体物理学作 业第O章 半导体中的晶体结构1、试述半导体的基本特性。答： 室温电阻率约在10-3106cm，介于金属和绝缘体之间。良好的金属导体:10-6cm；典型绝缘体: 1012cm。 负的电阻温度系数，即电阻一般随温度上升而下降；金属的电阻随温度上升而上升。 具有较高的温差电动势率，而且温差电动势可为正或为负;金属的温差电动势率总是负的。 与适当金属接触或做成P-N结后，电流与电压呈非线性关系，具有整流效应。 具有光敏性，用适当的光照材料后电阻率会发生变化，产生光电导； 半导体中存在电子和空穴(荷正电粒子)两种载流子。 杂质的存在对电阻率产生很大的影响。2、 假定可以把如果晶体用相同的硬球堆成，试分别求出简立方、体心立方、面心立方晶体和金刚石结构的晶胞中硬球所占体积与晶胞体积之比的最大值。【解】简立方结构，每个晶胞中包含1个原子，原子半径为，比值为体心立方结构，每个晶胞中包含2个原子，原子半径为，比值为面