半导体集成电路中的low-k技术摘要：随着芯片集成度的不断提高，RC时延、串扰噪声和功耗等越来越成为严重的问题。low-k(低介电常数)技术在这样的背景下产生并逐渐应用到集成电路工艺中。low-k材料代替SiO2能够进一步提高芯片的速度，但在low-k材料带来巨大技术优势的同时，也带来了一些技术性难题。研究新型low-k材料并提升其相应的性能，将极大的促进集成电路的发展。关键词: 集成电路 low-k技术低介电常数 多孔材料1 前言 随着超大规模集成电路(Very Large Scale Integration,VLSI)的高速发展，芯片的集成度不断提高，特征尺寸不断减小。金属互连的多层布线导致金属导线的电阻、线间电容和层间电容增大，从而使RC延迟时间、串扰噪声和功耗等增加，这些问题成为集成电路进一步发展的制约因素1,2。为了解决上述问题，提高芯片的速度，一方面用采用Cu金属互连线代替Al金属，减少电阻(Cu电阻率为1.75 10-8m，Al电阻率2.83 10-8m)。另一方面用low-k电介质(k3)代替SiO2(k=3
