一、 名词解释以及简答题 二极管部分1、突变结：对于离子注入或在轻掺杂的原始晶片上进行浅结扩散的情况，且N型与P型之间的过渡是陡峭的。2、线性缓变结：在中等掺杂到重掺杂的原始晶片上进行深结扩散的情况，而且N型和P型之间的过渡是逐渐改变。3、空间耗尽区，耗尽层相似：（1）P-Si与N-si形成pn结，由于P-Si中有大量空穴，N-si中有大量电子，当结合后，P-Si的空穴扩散到N-si中，N-si中的电子扩散到P-Si中，从而在P-Si中形成带负电的掺杂，而在N-si中形成带正电的掺杂，也就是耗尽区，其中耗尽区中存在电场，有漂移产生，从而平衡了扩散。4、正向注入（扩散）：正偏时：扩散流大于漂移流，n区电子扩散到p区（-xp)处积累成为p区的少子；p区的空穴扩散到n 区的（xn）处积累成为n区的少子。这一过程称为正向注入。5、反向抽取（漂移）:反偏时：p区的电子漂移到n区，n区的空穴漂移到p区，这一过程称为反向抽取。6、变容二极管:工作在反偏状态下的二极管，势垒电容随反偏电压的增加而
