半导体物理复习要点答案(共21页).doc

一、填充题 1. 两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带 正 电达到热平衡后两者的费米能级 相等 。2. 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于 【100】 方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于 间接带隙 半导体。3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如 空位 间隙原子 ； 线缺陷，如 位错 ；面缺陷，如层错和晶粒间界。 4. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 弗仓克耳缺陷 ；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 肖特基缺陷 。5 浅能级 杂质可显著改变载流子浓度； 深能级 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。6. 硅在砷化镓中既能取代镓而表现为 施主能级