1、 选择1. 与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量(比半导体的大);2. 室温下,半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3,同时掺有浓度为1.11015cm-3的磷,则电子浓度约为(1015cm-3 ),空穴浓度为(2.25105cm-3),费米能级为(高于Ei);将该半导体由室温度升至570K,则多子浓度约为(21017cm-3),少子浓度为(21017cm-3),费米能级为(等于Ei)。3. 施主杂质电离后向半导体提供(电子),受主杂质电离后向半导体提供(空穴),本征激发后向半导体提供(空穴、电子);4. 对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致(EF )靠近Ei;5. 表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为(施主态);6. 当施主能级ED与费米能级EF相等时,电离施主的浓度为施主浓度的(1/3)倍;重空穴是指(价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴)7. 硅的晶格结构和能带结构分别是(金刚石型和间接禁带型)8. 电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体(各元胞对应点出现的几率相同)。9. 本征半导