第六篇习题-金属和半导体接触刘诺 编6-1、什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？什么是接触势差？6-2、什么是Schottky势垒？影响其势垒高度的因数有哪些？6-3、什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。6-4、什么是镜像力？什么是隧道效应？它们对接触势垒的影响怎样的？6-5、施主浓度为7.01016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。6-6、分别分析n型和p型半导体形成阻挡层和反阻挡层的条件。6-7、试分别画出n型和p型半导体分别形成阻挡层和反阻挡层的能带图。6-8、什么是少数载流子注入效应？6-9、某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.51016cm-3，势垒高度为0.64eV，加上4V的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？6-10、试根据能带图定性分析金属-n型半导体形成良好欧姆接触的原因。第六篇 题解-金
