一、填空题1. 半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（电离杂质散射）和（晶格振动散射）。2. 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（电子）。这种杂质称（施主）杂质；相应的半导体称（N）型半导体。3. 当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（扩散）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（漂移）运动。4. nopo=ni2标志着半导体处于（热平衡）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（不改变）；当温度变化时，nopo改变否？（改变）。5. 硅的导带极小值位于布里渊区的（方向上），根据晶体对称性共有（6）个等价能谷。6. n型硅掺As后，费米能级向（Ec或上）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（Ei或下）移动。7. 半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（增加），并使其光电导衰减规律（衰减时间延长）。8. 若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（禁带宽度Eg增大）；若用砷的话，结果是（禁带宽度Eg减小）。9. 已知硅的Eg为1.12 eV，则本征吸收的波长限为（1.11 微米）；Ge的E
