微电子器件期末总结1. 提高半导体的掺杂浓度，p-n结的势垒高度将会 升高 ，p-n结势垒厚度将会 降低 2. 通过pn结的电子电流 小于 空穴电流3. 与双极型晶体管不同，场效应晶体管是 电压 控制器件，是 多数 载流子器件4.p-n结的基本特点是具有 单向 导电性，pn结正向偏置时 导通 ，反向偏置时 截止 5. pn结正向导通电压Vf主要与Bg有关，Eg越宽Io就 越小 ，同种条件下所需Vf则越大 6.一般的双极晶体管的发射区 基区 集电区的杂志浓度大小顺序为发射区基区集电区7.pn结点击穿产生机构有两种： 雪崩击穿 、 齐纳击穿8. pn结正向电流的来源是多姿，所以正向电流 较大 ，反向电流来源是勺子，所以反向电流 较小 ，如果给反偏pn结提供大量少子，就能使反向电流 9.场效应管三个电极中，D表示漏极，S表示源极，G表示栅极10.MOSFET的亚阈状态是不出现沟道的一种工作模式，亚阈电流与 极电压之间有 指数 关系1.pn结正向电压呈现出的电容，有 扩散电容 和 势垒电容3. MOSFET的阈值电压随着温度的升
