实验34 MOS晶体管的模型参数提取MOS晶体管具有易于集成和功耗低等优点，在集成电路中有着广泛的应用。MOS晶体管模型是用于描述MOS晶体管行为的参数的集合，这些参数反映了晶体管各种电学、工艺和物理特性，来源于测量和计算。实际的工艺参数能够准确地反映在模型中，精确的器件模型是进行集成电路设计与分析的基本前提和重要基础，是不可或缺的。本实验要求学生在理解MOS晶体管大信号和小信号行为的基础上，通过使用Excel软件对MOS晶体管的主要模型参数进行计算，并根据给定工作条件完成各MOS晶体管的等效电路建立。一、实验原理1. 阈值电压MOS晶体管形成反型沟道所需要施加的栅源电压称为阈值电压。MOS晶体管阈值电压由三部分构成，首先形成沟道下方耗尽层电荷稳定存储所需施加的电压，其次克服栅材料与衬底材料间的功函数差异所需施加的电压，第三克服栅氧化层中正电荷的影响所需施加的电压。图34.1 典型NMOS纵向结构图典型的增强型N沟道MOS晶体管具有图34.1所示纵向结构。当栅极施加正偏压时，N型沟道产生，栅氧化层下方经历由P型掺杂变为耗尽再变为N型的过程，硅表面
