学生实验报告院别课程名称器件仿真与工艺综合设计实验班级实验三MOSFET工艺器件仿真姓名实验时间学号指导教师成绩批改时间报 告 内 容一、 实验目的和任务1.理解半导体器件仿真的原理，掌握Silvaco TCAD 工具器件结构描述流程及特性仿真流程；2.理解器件结构参数和工艺参数变化对主要电学特性的影响。二、实验原理1. MOSEET基本工作原理（以增强型NMOSFET为例）：以N沟道MOSEET为例，如图1所示，是MOSFET基木结构图。在P型半导体衬底上制作两个N+区，其中一个作为源区，另一个作为漏区。源、漏区之间存在着沟道区，该横向距离就是沟道长度。在沟道区的表面上作为介质的绝缘栅是由热氧化匸艺生长的二氧化硅层。在源区、漏区和绝缘栅上的电极是由一层铝淀积，用于引出电极,引出的三个电极分别为源极S、漏极D和栅极G。并且从MOSEET衬底上引出一个电极B极。加在四个电极上的电压分别为源极电压Vs、漏极电压Vd、栅极电压Vg和衬底偏压Vb。图1 MOSFET结构示意图
