1、2014年 9月份考试数字电子技术第二次作业 一、多项选择题（本大题共 90分，共 30 小题，每小题 3 分） 1. 用若干 RAM实现位扩展时，其方法是将（ ）相应地并联在一起。 A. 地址线 B. 数据线 C. 片选信号线 D. 读 /写线 2. 下列关于 RAM的描述中正确的有（ ）。 A. RAM 的存储元件是一般的二极管、三极管或 MOS 管，它们本身没有记忆功能 B. RAM 中的数据可以随时更改 C. RAM 中的数据即使断电后也不会丢失 D. RAM 的 I/O电路是双向总线 3. 对下图所示逻辑电路的分析正确的 是（ ）。 A. Y1=ABC+ABC+ABC+ABC B.
2、Y1=ABC+ABC+ABC+ABC C. Y2=AB+AC+BC D. Y2=AB+AC+BC 4. 下列对 ROM、 PROM 和 EPROM 及 E2PROM 的描述正确的有（ ）。 A. 只读存储器 ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随便更改 B. PROM 是可编程只读存储器 C. EPROM 是可擦除的可编程只读存储器 D. EEPROM 是电擦除的可编程只读存储器 5. 对于如下逻辑电路，下列描述正确的有（ ）。 A. A=0， B=0， C=0， D=1 时 Y=1 B. A=1， B=0， C=0， D=0 时 Y=1 C. A=1， B=0，C=1， D=1 时 Y
3、=1 D. A=1， B=1， C=1， D=0时 Y=0 6. 下列关于时序逻辑电路和组合逻辑电路的描述正确的有（ ）。 A. 组合逻辑电路的输出信号仅与当时的输入信号有关 B. 时序逻辑电路输出信号不仅与当时的输入信号有关，而且还与电路原来的状态有关 C. 组合逻辑电路和时序逻辑电路输出输入之间都没有反馈延迟通路 D. 组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆功能 7. 下图所示电路中，表示 Qn+1=Qn+A的电路有（ ）。 A. B. C. D. 8. 下列逻辑电路与逻辑函数对应的是（ ）。 A. B. C. D. 9. 在函数 F=AB+AC的真值表中，ABC 的状态为（ ）时 F=1。
4、 A. 001 B. 011 C. 110 D. 111 10. 下列由 TTL逻辑门组成的逻辑电路中不具有触发功能的有（ ）。 A. B. C. D. 11. ROM 的主要类型有（ ）。 A. 掩模型 ROM B. 随机性 ROM C. 可改写 ROM D. 可编程 ROM 12. 对如图所示电路，下列描述正确的是（ ）。 A. 当输入端为空时，三极管工作在截止状态 B. 当输入端为空时，三极管工作在 饱和状态 C. 若 VI=0V，三极管工作在截止状态 D. 若 VI=5V，三极管工作在饱和状态 13. 下列关于 A/D 转换误差的描述正确的 有（ ）。 A. 模拟电压是连续的，他就不一
5、定能被量化单位整除，因此量化过程不可避免的要产生误差 B. 为了减小误差可以适当放大输入信号 C. 增加转换器位数可以减小误差 D. 使各离散电平之间的差值最小可以减小误差 14. 下列各种类型的触发器中不能组成移位寄存器的有（ ）。 A. 基本 RS 触发器 B. 同步 RS触发器 C. 维持阻塞 D触发器 D. 用 CMOS 传输门的边沿触发器 15. 对下图所示电路描述正确的选项有（ ）。 A. 该电路是一个异步时序电路 B. 该电路是一个同步时序电路 C. 该电 路组成单稳态触发器 D. 该电路组成施密特触发器 16. 下列关于 COMS 电路与 TTL电路的描述正确的有（ ）。 A.
6、 CMOS 由场效应管构成，电压控制器件，功耗很小， TTL功耗较大 B. COMS 的逻辑电平范围比较大（ 5 15V）， TTL只能在 5V下工作 C. CMOS 的负载噪声容限大、抗干扰性强， TTL 则相差小，抗干扰能力差 D. 在带同类门负载的情况下 CMOS 门电路扇出系数较大 17. 下列各逻辑图与逻辑函数对应的是（ ）。 A. B. C. D. 18. 下面选项中，正确的是（）。 A. （ 10） 2=（ 10） 10 B. （ 67） 16 （ 103） 10 C. （ 111） 2 （ 11） 8 D. （ 10101） 2 （ 21） 10 19. 影响 D/A 转换器精度的因素有（ ）。 A. D/A 转换器的原件参数误差 B. 基准电压误差 C. 运算放大器的零漂 D. 输入信号的误差 20. 下列格式中，是最简与或表达式的是（ ）。 A. Y=A+B B. Y=A+B+B+C C. Y=BC/m
