第三章、器件一、超深亚微米工艺条件下MOS管主要二阶效应：1、速度饱和效应：主要出现在短沟道NMOS管，PMOS速度饱和效应不显著。主要原因是太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度（），即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和，不再随电场强度的增加而线性增加。此时近似表达式为：（），（），出现饱和速度时的漏源电压是一个常数。线性区的电流公式不变，但一旦达到，电流即可饱和，此时与成线性关系（不再是低压时的平方关系）。2、Latch-up效应：由于单阱工艺的NPNP结构，可能会出现VDD到VSS的短路大电流。正反馈机制：PNP微正向导通，射集电流反馈入NPN的基极，电流放大后又反馈到PNP的基极，再次放大加剧导通。克服的方法：1、减少阱/衬底的寄生电阻，从而减少馈入基极的电流，于是削弱了正反馈。2、保护环。3、短沟道效应：在沟道较长时，沟道耗尽区主要来自MOS场效应，而当沟道较短时，漏衬结（反偏）、源衬结的耗尽区将不可忽略，即栅下的一部分区域已被耗尽，只需要一个较小的阈值电压就足以引起强反型。所以短沟时
