模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案(共54页).doc

模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。A.增大； B.不变； C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知(V)，试画出与的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2