模拟集成电路设计复习笔记(共38页).docx

模集复习笔记By 潇然2018.6.202.2 I/V特性1. I-V特性2. 跨导定义：VGS对IDS的控制能力（IDS对VGS变化的灵敏度）饱和区跨导gm表达式：2. 线性电阻表达式2.3 二级效应1. 体效应为体效应系数，典型值0.3-0.4V-1/22. 沟道长度调制效应2.4 MOS器件模型定义：信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算由gm、gmb、rO等构成低频小信号模型，高频时还需加上CGS等寄生电容、寄生电阻（接触孔电阻、导电层电阻等）1. MOS小信号模型 沟长调制效应引起的输出电阻 体效应跨导2. 完整的MOSFET小信号模型用于计算各节点时间常数、找出极点2.5 放大器的性能参数 AIC设计的八边形法则分别为：速度、功耗、增益、噪声、线性度、电压摆幅、电源电压、输入输出阻抗参数之间互相制约，设计时需要在这些参数间折衷3.2 共源级1. 电阻负载理想情