1. 说明IGBT、GTO和电力MOSFET各自优缺点？IGBT 优点：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输出阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 缺点：开关速度低于电力MOSFET，电压、电流容量不及GTOGTO 优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 缺点：开关速度低，所需驱动功率大，驱动电路复杂MOSFET 优点：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10KW的电力电子装置2. 晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？导通条件：当晶闸管承受正向电压，且在门极有触发电流维持导通条件：使晶闸管电流大于维持电流Ih关断：鼻血去掉阳极所加的正向电压，或给阳极施加反压，使流过晶闸管的电流降到维持电流Ih以下，便可关断3.什么是电压型逆变电路？什么是电流型逆变电路？二者各有什么特点？逆变电路根据直流侧电
