电子技术基础-检测题习题解析35页.doc

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第1章 检测题 (共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数载流子为 空穴 ,不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的杂质离子带 负 电。2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 相反 ,有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 一致 ,有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ,这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的

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