直拉单晶工艺常识硅的固态密度：2.33克/，液态密度2.54克/，呈灰色金属光泽，性质较脆，切割时易断裂，比重较小，硬度较大，属于非金属，是极为重要的半导体元素，液态时其表面张力较大，从液态到固态时体积膨胀较多。氧在硅晶体中的分布是不均匀的，一般头部含量高，尾部含量低，晶体中心部位含量高，边缘含量低。碳在晶体中的分布是中心部位低，边缘部位高。电阻率：单位面积材料对于两平行平面垂直通过电流的阻力，晶向：一簇晶列的取向。母合金：生产上常常将掺杂纯元素“稀释”成硅熔体叫做母合金。偏度：晶体自然中轴线与晶向之间的夹角度数。空穴：半导体价带结构中一种流动的空位，其作用就像一具具有正效质量的正电子荷一样。迁移率：载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。载流子：固体中一种能传输电荷的载体，又称电载流。少数载流子寿命：在光电作用下，非平衡少数载流子由产生到复合存在的平均时间。杂质分凝：在结晶过程中，由于杂质偏析，出现杂质分配现象叫杂质分凝。扩散：物质内部热运动导致原子或分子迁移的过程。热对流：液体或气体流过固体表面时，由于固体对液体或气体分
