国家标准硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法（预审稿）编制说明一、 工作简况1、 立项目的和意义硅片是半导体制造业的基础材料，由于硅片表面极其少量的金属污染都有可能导致器件功能失效或可靠性变差，硅片在制作使用过程中的金属杂质控制极为重要，硅片表面污染测试既是硅片制造过程中必不可少的监控手段，也是提升后道器件性能的重要方法与指标。电感耦合等离子体质谱分析法通过不断革新，已具备出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力，已被成熟使用多年，亟需制定相关产品标准。2、 任务来源根据国家标准委关于下达2017年第四批国家标准制修订计划的通知(国标委综合2017128号)的要求，半材标委20181号转发2018年第一批半导体材料国家标准制(修)订项目计划，通知由南京国盛电子有限公司负责牵头编制，北京有研股份有限公司等公司参与，计划号：20141871-T-469，计划于2019年完成3、 项目承担单位概况南京国盛电子有限公司，是中国电子科技集团公司第五十五研究所全资子公司,专业从事半导体硅外延材料以及第三代半导体外延材料的研发与生产近
