硅超大规模集成电路工艺技术—理论、实践与模型-课后习题答案(共26页).doc

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1.2. Assuming dopant atoms are uniformly distributed in a silicon crystal, how far apart are these atoms when the doping concentration is a). 1015 cm-3, b). 1018 cm-3, c). 5x1020 cm-3.Answer:The average distance between the dopant atoms would just be one over the cube root of the dopant concentration:a) b) c) 1.3. Consider a piece of pure silicon 100 m long with a cross-sectional area of 1 m2. How much current would flow through this “resistor” at room temperatur

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