反激式开关电源的RCD吸收电路的设计讲义2页.doc

本文档由：美国福斯特半导体提供 反激式开关电源的RCD吸收电路的设计如上图所示，分析如下一：设计电路的原则 限制MOS功率管的最大反向峰值电压 减小RCD电路的损耗。上述两者，是相互矛盾的，取折中的办法。二：设计RCD吸收电路的过程在设计之前，电路的频率、主变压器、输出电路的参数、MOS功率管全部确定。 计算在最大输入交流电压时，输出的最大直流电压VDCVDC=1.4*VAC 单位： 次级电压反射到初级的等效电压()=(+)*/:二极管的正向最大电压降，单位：:输出的电压值，考虑精度波动范围,单位：:初级匝数:次级匝数 功率管的源栅极之间的最大耐压值的余量值()=%*单位： 吸收回路的电压()()-()-()*%单位：三：试验调整 上述电压值是理论值，通过试验调整，使得实际值和