砷化镓单晶制备的工艺7页.docx

砷化镓单晶制备工艺的最新进展 砷化镓单晶制备工艺院系：学号：专业:姓名：时间：摘要：1. 砷化稼(GaAs)是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一广泛应用于光电子和微电子领域。2. 由于砷化稼禁带宽度宽、电子迁移率高，因而砷化稼可直接研制光电子器件.如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器、红外探测器和高效太阳能电池等。3. 综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺，如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法和蒸气压控制直拉法。材料科学与技术 光机电信息 2003年第7期 GaAs单晶生长工艺的发展状况 Development of GaAs single crystal growth process 蒋荣华，肖顺珍 (峨眉半导体材料研究所，四川峨眉山614200)4. 通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和X射线异常透