泓域咨询 /第三代半导体材料项目建设方案报告说明第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两种材料是当下规模化商用最主要的选择。根据谨慎财务估算，项目总投资21031.84万元，其中：建设投资17019.37万元，占项目总投资的80.92%；建设期利息486.51万元，占项目总投资的2.31%；流动资金3525.96万元，占项目总投资的16.76%。项目正常运营每年营业收入37000.00万元，综合总成本费用30559.36万元，净利润4703.68万元，财务内部收益率16.65%，财务净现值1988.43万元，全部投资回收期6.41年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。目录一、 项目名称及项目单位4二、 项目建设地点4三、 编制依据和技术原则
