泓域咨询 /第三代半导体材料项目投资预算报告报告说明第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两种材料是当下规模化商用最主要的选择。根据谨慎财务估算，项目总投资12223.65万元，其中：建设投资9276.19万元，占项目总投资的75.89%；建设期利息185.65万元，占项目总投资的1.52%；流动资金2761.81万元，占项目总投资的22.59%。项目正常运营每年营业收入24500.00万元，综合总成本费用18834.14万元，净利润4149.76万元，财务内部收益率25.37%，财务净现值5980.75万元，全部投资回收期5.60年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。目录一、 项目概述
