Tri-Gate晶体管的工艺模拟及仿真 摘 要 近年来，随着半导体产业以及科技的飞速发展，半导体工艺尺寸的不断缩小，业 界内传言摩尔定律也即将走到尽头。但是 Intel 在 2011年宣布的 Tri-Gate 晶体管，也称 为 3D 晶体管的成功研制使得处理器的性能大幅度提升，同时也可以让摩尔定律得到一 定年限的延续。Intel 此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明，甚至可以说是 “重新发明了晶体管” 。此项新技术将用在未来 22纳米科技设备中，其中小的手机到 大的云计算服务器包括在内都可以使用该技术。 本文首先以传统 CMOS 晶体管为例子，介绍了几种目前较为先进的晶体管实例， 形成原理和结构特点。再以这些晶体管的缺点和限制来引出新型的 Tri-Gate 晶体管。 并介绍其特点，和其他晶体管的优势。重点还在于对模拟出的器件模型和电学特性结 合理论知识进行相关分析，在此基础上能把器件结构进行进一步优化后，再次模拟最 终得出性能良好的 Tri-Gate 晶体管。 本文的意义主要在于通过对 Tri-Gate 晶体管的学习和研究，分析晶体管结构和特 点并进行相关的参数设计，器件工艺设计，
