一种硅基 1200V 15A Trenchstop 结构的 IGBT 设计与仿真 摘 要 “核心电子器件，高端通用芯片及基础软件产品” （简称“核高基重大专项” ）是 2006年国务院发布的国家中长期科学和技术发展规划纲要 （2006-2020年）所确定 的国家十六个科技重大专项之一。 “核高基”所涵盖的三个方向是 21世纪电子信息产 业国际竞争的战略制高点，对我国电子信息产业核心竞争力的形成至关重要。绝缘栅 场效应晶体管（IGBT）就属于新型电力电子器件，被公认为世界电力电子第三次技术 革命的代表性产品，已成为自动控制和功率变换的关键核心部件。可广泛应用于电力 领域，消费电子，汽车电子，新能源等传统和新兴领域，市场前景广阔，是未来应用 发展的必然方向。由于国内发展较晚，具有自主知识产权的 IGBT 研究和生产水平与 国际先进技术相差较大，所以对 IGBT 器件的研究很有意义。 本文分析一个目前最流行的沟槽栅场截止（Trench gate & Field Stop）结构的 IGBT，首先介绍 IGBT 器件的最基本结构（PT-IGBT）及其工作原理，然后介绍 TrenchStop 结构
