基于 Silvaco TCAD 的 1000V 60A NPT 结构 IGBT 的设计与仿真 摘 要 近年来，国防工业与国民经济各个领域对于电能处理和变换的要求不断提高，并 且还要满足节能和新能源开发的需要，功率半导体器件作为电能变换装置核心部件也 起着越来越重要的作用。绝缘栅双极型晶体管 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是问世于 20世纪 80年代中期的一种新型电力电子器件，它兼有 MOSFET 的高输入阻抗、快速响应和电力晶体管(GTR)的高电流密度，低通态压降等优良特性， 表现出了良好的综合特性，已成为我国当前工业领域中应用最广泛的全控型电力电子 器件，并得到迅速发展。IGBT 逐渐取代了功率晶体管（Power BJT） 、晶闸管（GTO） 和功率 MOSFET，在中频、中功率电力电子电路中得到广泛应用。 IGBT 的模型一直是研究的一项重点，它是器件研制和应用过程中的重要辅助工具， 模型的精准可以准确地预估 IGBT 的暂态电气和稳态电气行为，从而为工作人员开发 产品节省大量的成本和时间，因此对 IGBT 的设计和仿真有着重要的实际
