基于Silvaco TCAD半浮栅晶体管的3D建模摘 要现如今，由于器件尺寸的不断缩小，其功率与密度在不断升高，所以也会带来很大的功耗，因其MOS（Metal Oxide Semiconductor）晶体管应用于完成高速运算，但其运算时所产生的温度极高，并且如果突然断电其所有的运算数据也将会全部丢失。然而，由于半浮栅晶体管的结构与MOS晶体管相比之下多了一层多晶硅材料，我们称之为半浮栅层，半浮栅晶体管运算速度比MOS要低很多，但其优势在于断电后数据仍可以保存。在当前需要大量运算的时代，因其对运算有极高要求的CPU和GPU领域多使用MOS晶体管，但前提是必须要配备电扇用以降低温度，如若不然，部分的元器件因其温度过高极其容易被损坏，然而，内存、闪存和固态硬盘等对数据存储和温度存在有着硬性要求的产品也多使用半浮栅晶体管（SFGT），然而，半浮栅晶体管（SFGT）具有明显的高密度和低功耗优势。本文主要以标准硅CMOS工艺作为引子，介绍半浮栅晶体管（SFGT）的工艺、原理及特点。再以其中涉及的重要的标准硅CMOS工艺模型给出的结论作为依据，对半浮栅晶体管（SFGT）进行3D建模。本
