基于UTC0.5m工艺的LDO芯片电路仿真及版图设计摘 要近年来，随着集成电路的技术和电源管理技术的不断发展，低压差线性稳压器（LDO Low Dropout Regulator）被大家所关注，使其被广泛的应用于便携式电子产品、播放器、数码相机、无线电话与通信设备、测试仪器等中。本文针对LDO的发展要求，主要研究LDO的核心误差放大器，在LDO线性稳压器的设计中，误差放大器是设计中一个重要的环节，误差放大的性能决定了整个LDO稳压器的性能。本次应用Cadence软件进行电路图和版图的绘制，对其电路进行完整的仿真分析，对版图进行验证，最后，对全文工作进行总结。本课题电路系统采用跨导运放的结构，输入级采用PMOS（P-channel Metal Oxide Semiconductor）全差分输入形式，输出级采用双端输出，这样可避免电流镜引起的极点导致带宽变窄的问题，此放大器采用UTC0.5mCMOS设计工艺，在输入电压为5V、负载电容为4.7F，环境温度在-40C85C的条件下进行HSPICE仿真。本文将在开头简单阐述了课题研究的背景及意义，并分析低电压差线性
