精选优质文档-倾情为你奉上常州信息职业技术学院 2010 2011 学年第 一 学期半导体器件物理课程期末试卷班级 姓名 学号 成绩装订线项目一二三四五总分满分100得分一、 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分）1半导体硅材料的晶格结构是（ A ）A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿2下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ C ） 金属 半导体 绝缘体3硅单晶中的层错属于（ C ） 点缺陷 线缺陷 面缺陷4施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半
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