第五章--硅和硅基薄膜的外延生长(共82页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上第五章 硅和硅基薄膜的外延生长51 概述 外延生长(通常亦简称外延)是半导体材料和器件制造的重要工艺之一,它的应用和发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能,对于新材料、新器件的开发,对于半导体科学的发展都具有重要意义。 所谓外延生长就是在一定条件下,在经过仔细制备的单晶衬底上,沿着原来的结晶方向生长出一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构、完整性等都符合要求的新单晶层的工艺过程。所生长的单晶层称为外延层。 外延生长同从熔体中直接生长一样都是制备半导体材料单晶的方法,但相比之下外延生长有它一些特殊的优点: (1)利用外延生长可以在一块低电阻率的衬底上生长出一层很薄的高电阻率的外延层,然后把器件制作在外延层上,解决了高频大功率晶体管要求高的击穿电压和低的饱和压降之间的矛盾。 (2)可进行选择性外延生长,为集成电路和某些特殊结构器件的研制提供了便利条件。 (3)外延技术可以控制外延层中的杂质分布。 (4)采用适当的外延技术可以生长异质、薄层、超薄层组分可变的外延层,为

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