半导体物理学期末复习试题及答案三(共7页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上一、选择题。1. 电离后向半导体提供空穴的杂质是（ A ），电离后向半导体提供电子的杂质是（ B ）。A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质2. 在室温下，半导体Si中掺入浓度为的磷杂质后，半导体中多数载流子是（ C ），多子浓度为（ D ），费米能级的位置（ G ）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为的硼杂质，半导体中多数载流子是（ B ），多子浓度为（ E ），费米能级的位置（ H ）；如果，此时温度从室温升高至，则杂质半导体费米能级的位置（ I ）。（已知：室温下，；时，）A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子 D. E. F. G. 高于 H. 低于 I. 等于 3. 在室温下，对于n型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽度（ B ），电子浓度和空穴浓度的乘积（ D ），功函数（ C ）。如果有光注入的情况下，电子浓度和空穴浓度的乘积