半导体材料吸收光谱测试分析(共7页).doc

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资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上半导体材料吸收光谱测试分析一、实验目的1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。二、实验仪器及材料紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯、绘图打印机,玻璃基ZnO薄膜。三、实验原理1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律UV762双光束紫外可见分光光度计外观图:(1)仪器构造:光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。a光源:钨灯或卤钨灯可见光源,3501000nm;氢灯或氘灯紫外光源,200360nm。b单色器:包括狭缝、准直镜、色散元件色散元件:棱镜对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距; 光栅衍射和干涉分出光波长等距。c吸收池:玻璃能吸收UV光,仅适用于可见光区;石英不能吸收紫外光,适用于紫外和可见光区。 要求:匹配性(对光的吸收和反射应一致)d检测器:将光信号转变为电信号的装置。如:光电池、光电管(红敏和蓝敏)、光电

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