1、检测达林顿管（DT）的方法达林顿晶体管 DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出 E、B、C 三个电极。图 1 是由两只 NPN 或 PNP 型晶体管构成达林顿管的基本电路。假定达林顿管由 N 只晶体管（T I-Tn）组成，每只晶体管的放大系数分别这 hFE1、h FE2、h FEn。则总放大系数约等于各管放大系数的乘积：h FEh FE1hFE2hFEn 因此，达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到必千倍，甚至几十万倍。利用它不仅能构
2、成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，构成达林顿功率开关管。在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。1普通型达林顿管的检测方法 因为达林顿管的 E-B 电极之间包含多个发射结，所以必须选择万用表 R10k 档进行检测，该档可提供较高的测试电压。检测内容包括：识别电极；区分 NPN 型、PNP 型；检查放大能力。下面通过一个实例来阐述测试方法。被测管为美国 Motoro1a 公司生产的 MPSA6266 型达林顿管，它属于中功率、低噪声硅达林顿管，外形如图
3、 2 所示。主要电参数为：h FE=5000-200000，P CM=600mW，噪声系数 NF2dB。采用塑料封装形式。为叙述方便,现分别为三只脚管编上序号、（参见图 2）。选择 500 型万用表R10k 档。由附录四中查出该档电压比例系数 K=0.18V/格，采用读取电压法时的计算公式为V=0.18n(V)；电压比例系数 K=1.8A/格，读取电流法计算公式是 I=1.8n(A)。全部测量数据整理成表 1。表是带括弧量为测试结论。分析表 1 可以判定为基极，并且被测管属于 PNP 型。下面进一步识别 E、C 电极，同时检查管子的放大能力。首先将黑表笔接，红表笔接，并用两手分别捏住、两脚，电
4、阻值为 450k；当用舌舔基极时，可以观察到表针向右侧作大幅度偏转，指于 35k 处。然后交换两支表笔的位置，再用舌舔基极时，发现表针不动。由此判定：为发射极，为集电极，并且此管的放大能力很强。穿透电流 ICEO=9A。注意事项：不宜用 R1k 档检查达林顿管的放大能力。因该档电池电压仅 1.5V，很难使管子进入放大区工作。测量时不得用手摸住管壳。2改进型达林顿管普通型达林顿管仍有不足之处。由于其电流增益很高，当温度升高时，前级晶体管的发射结漏电流将被逐级放大。又因为此电流具有正温度系数，所以器件的热稳定性较差。当环境温度升高、漏电严重时，有可能导致管子误导通现象发生。改进型达林顿管增加子保护
5、功能，典型电路如图 3 所示。(a)图为 NPN 型，(b)图为 PNP 型。这类管子在 C-E 极之间反向并联一只过压保护二极管 D（亦称续流二极管）。当负载（例如继电器线圈）突然断电时，可将反向电动势泄放掉，防止内部晶体管被击穿。此外，T 1、T 2的发射结上还分别并入电阻 R1、R 2。D、R 1和 R2全部集成于单片达林顿管之中。R1、R 2是泄放电阻，可以为漏电流提供泄放支路。图 T1 的发射结漏电流较小，故 R1 的阻值可适当大些。由于的漏电流经过放大后加至 T2的基极上，加之 T2本身亦存在漏电流，使得 T2发射结上的漏电流较大，因此应降低 R2的阻值，以满足 R1R2的关系。设
6、计时通常取 R1为几千欧，R 2为几十欧，二者相差两个数量级。还应指出，由于增加了电阻 R1、R 2，测出的 C-E 极间击穿电压（V (BR)CEO）已变成集电极-基极击穿电压值。鉴于器件内部电路中包含 D、R 1、R 2，所以在用万用表检测时必须注意以下事项，所免造成误判断：第一：在 B-C 之间的 PN 结，应具有单向导电性，用读取电压法可测量 VBC正向电压值。第二：在 B-E 之间有两个 PN 结，而且并联着电阻 R1、R 2。由万用表 R10k 档提供正向电压时，借助于读取电压法可测出 VBE 值，并且 VBEV BC；施以反向电压时，发射结截止，测出的就是(R1+R2)电阻之和，大约为几千欧，且阻值恒定，不随电阻档而改变。第三：在 E-C 极间并有保护二极管 D，因此当 E-C 间加反向电压时，二极管应导通，采用读取电压法可测其正向压降 VF 值。检测放大能力的方法与前面介绍的相同，不再赘述。注意事项：某些改进行达林顿管还在 R1、R 2各并联一只二极管 D2、D 3，当 B-E 之间加反向电压时，测出的就不是(R 1+R2)电阻之和，而是两只二极管的正向压降之和(V F2+VF3)。
