精选优质文档-倾情为你奉上B半导体对光的吸收:半导体受光照射时，一部分光被反射，一部分光被吸收。半导体对光的吸收可分为:本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。能引起光电效应的有：本征吸收、杂质吸收。B本征半导体光敏电阻常用于可见光波段的测探，而杂质型半导体光敏电阻常用于红外波段甚至于远红外波段辐射的探测。B半导体激光器发光原理：受激辐射、粒子数反转和谐振。C粗光栅和细光栅：栅距d大于波长的叫粗光栅，栅距d接近于波长的叫细光栅。C由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率，因此N型CCD比P型CCD的工作频率高很多。D丹倍效应：由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮蔽面之间的伏特现象。F发生本征吸收的条件:光子能量必须大于半导体的禁带宽度EgF辐射源：一般由光源及其电源组成，是将电能转化成光能的系统。F发光效率：由内部与外部量子效率决定。F发光光谱：LED发出光的相对强度随波长变化的分布曲线。F发光二极管基本结构：面发光二极管和边发光二极管。G光电检测技术:采用不同的手段和方法获取信息，运用光电技术的方法来检验和处理信息
