南京理工大学-半导体物理作业及答案(共40页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上半导体物理学作 业 南京理工大学专心-专注-专业第O章 半导体中的晶体结构1、试述半导体的基本特性。答： 室温电阻率约在10-3106cm，介于金属和绝缘体之间。良好的金属导体:10-6cm；典型绝缘体: 1012cm。 负的电阻温度系数，即电阻一般随温度上升而下降；金属的电阻随温度上升而上升。 具有较高的温差电动势率，而且温差电动势可为正或为负;金属的温差电动势率总是负的。 与适当金属接触或做成P-N结后，电流与电压呈非线性关系，具有整流效应。 具有光敏性，用适当的光照材料后电阻率会发生变化，产生光电导； 半导体中存在电子和空穴(荷正电粒子)两种载流子。 杂质的存在对电阻率产生很大的影响。2、 假定可以把如果晶体用相同的硬球堆成，试分别求出简立方、体心立方