1、上次课主要内容回顾1.双极集成电路的基本制造工艺什么是极？怎么做隔离？6次光刻和光刻目的2.MOS集成电路的基本制造工艺根据阱的导电类型进行的分类P（ N）阱硅栅 CMOS工艺和元件的形成过程（ 5次离子注入、 10次光刻）第二章 集成电路中的晶体管及其寄生效应2.1理想本征集成双极晶体管的 EM模型2.2集成双极型晶体管的有源寄生效应2.3集成双极型晶体管的无源寄生效应本次课主要内容回顾2.1理想本征集成双极晶体管的 EM模型图 2.1集成电路中的双极晶体管结构 (a)剖面 (b)符号表示 (c)极性规定(a)(C)工作晶体管寄生晶体管图 2.2双极晶体管的四种工作状态双极晶体管的四种工作状
2、态的判断2.2集成双极晶体管的有源寄生效应2.2.1 NPN管工作于正向工作区和截止区寄生 PNP管截止。只增加 IB， IC的反向漏电流，和衬底漏电流 IS 。2.2.2 NPN管工作于反向工作区寄生 PNP管工作区于正向工作区。定性分析：相当大的反向 NPN管 “发射极电流作为无用电流流向 IS 。解决寄生管影响的方法思路： IS 减小 SF减小 ： 减小 PNP管的集电极电流 掺金工艺：少子的寿命减少；埋层工艺：少子基区渡越时间增加 。 n 2.2.3NPN管工作于饱和区PNP管工作在正向工作区。解决方法：减小 SF 掺金工艺、埋层工艺 。 增大 V SBC(V =V BE-VBC)2.3集成双极晶体管的无源寄生效应图 2.3-1标有无源电阻寄生元件的集成 NPN晶体管结构图C B EN+-BLN+ N+PN-epiP+P+P-SUBrc3rc2rc1rb resn 发射极串联电阻 resn 集电极串联电阻 rcsn 基区电阻 rb2.3.1集成 NPN晶体管中的寄生电阻寄生电阻的计算方法n 发射极串联电阻 res：见黑板n 集电极串联电阻 rcsn 基区电阻 rb1.截锥体模型LWbLaWT20 14 10 12 10 10 10 10 10 12 10 14 2010 1010
