专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》-试卷-答案(总7页).doc

专升本CMOS模拟集成电路分析与设计一、 （共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番 （2分）A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案：B2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。 （2分）A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。 （2分）A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。 （2分）A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案：A5. （）表征了MOS器件的