精选优质文档-倾情为你奉上金属-半导体接触1.金属与半导体接触概论以集成电路(IC)技术为代表的半导体技术在近十几年来已经取得了迅速发展,带来的是一次又一次的信息科技进步,没有哪一种技术能像它一样,带来社会性的深刻变革。半导体技术的实现依赖于半导体的生产与应用,而在半导体的应用过程中,必然会涉及到半导体与金属电极的接触。大规模集成电路中的铝-硅接触就是典型的实例。金属与半导体接触大致可以分为两类1:一种是具有整流特性的肖特基接触(也叫整流接触),另一种是类似普通电阻的欧姆接触。金属与半导体接触特性与两种材料的功函数有关。所谓功函数,也称之为逸出功,是指材料的费米能级与真空能级之差,即W=E0-EF(E0为真空能级,EF为费米能级)。它是表征固体材料对电子的约束能力的物理量。然而,由于金属与半导体的费米能级有所差别,所以其功函数也不相同。就金属来而言,其费米能级EFM代表电子填充的最高能级水平,所以金属的功函数WM 即为金属向真空发射一个电子所需要的最低能量(如图1.1.1);但对半导体的功函数WS而言,其功函数是杂质浓度的函数,而不像金属那样为一常数,其