VLSI数字电路0.18um工艺传输门全加器设计.doc

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1、 VLSI 电路设计-项目设计传输门全加器设计指导老师: 组长: 1目录一.项目设计方案 .21.1 一位全加器简介: .21.2 一位全加器的真值表: .21.3 镜像 CMOS 全加器电路图: .31.4 镜像 CMOS 全加器的棍棒图: .41.5 镜像 CMOS 全加器的优化棍棒图: .41.6 镜像 CMOS 全加器的欧拉路径: .51.7 镜像 CMOS 全加器的网表: .5二项目设计完成情况 .71. HSPICE 前仿真: .72.版图: .83.DRC/LVS/PEX 完成情况: .84.HSPICE 后仿真情况: .95.全加器面积及性能: .96.项目展望: .10附录一

2、 .10附录二 .102一.项目设计方案1.1 一位全加器简介:全加器是算术运算电路运算中的基本单元,也是构成多位加法器的基本单元,介于加法器在算术运算电路当中的重要作用,使得全加器的设计显得十分重要。通常情况下,我们采用两种结构构成全加器电路,一种是由两个半加器组成,另一种为镜像结构。全加器的基本符号如图 1-1 所示。其中,A、B 为加法器的输入,Cin 进位输入,Sum 为输出,Cout 进位输出。1-1 全加器基本符号全加器的逻辑表达式为:Cout=AB+BCin+ACinSum=ABCin+Cout(A+B+Cin)1.2 一位全加器的真值表:FULL ADDERA BCin Cou

3、tSum31-2 全加器真值表1.3 镜像 CMOS 全加器电路图:1-3 镜像全加器电路图当 D 为高时,!Cout 被置为 Vdd,清除进位;当 G 为高时,输入 输出A B Cin Sum Cout0 0 0 0 00 0 1 1 00 1 0 1 00 1 1 0 11 0 0 1 01 0 1 0 11 1 0 0 11 1 1 1 14!Cout 被置为 0,产生进位。当 P 为 1 时,输入进位反向传递到!Cout,同时,可以分析求和电路,当 A,B,Cin 同时为 0,!S 为 1,和为 0;当 A,B,Cin 同时为 1,!S 为 0,和为 1;当 A,B,Cin 既有 1

4、也有 0 时,!S 的输出由!Cout取反决定。由于 PMOS 和 NMOS 管完全对称,所以易于画出版图。该电路的工作速度快于互补 CMOS 全加器。1.4 镜像 CMOS 全加器的棍棒图:1-4 镜像全加器棍棒图1.5 镜像 CMOS 全加器的优化棍棒图:1-5 镜像全加器优化棍棒图51.6 镜像 CMOS 全加器的欧拉路径:1-6 镜像全加器的欧拉路径1.7 镜像 CMOS 全加器的网表:Mirror.protect.lib ./TD-LO18-SP-2003v4R/l018ll_io50_v1p3.lib TT.unprotect.temp 25.subckt Mirror A B C

5、i Co S vdd vss M0 D A vdd vdd p18ll L=0.18u W=1.26uM1 D B vdd vdd p18ll L=0.18u W=2.16uM2 X B vdd vdd p18ll L=0.18u W=0.18uM3 E Ci D vdd p18ll L=0.18u W=2.16uM4 E A X vdd p18ll L=0.18u W=0.18uM5 H A vdd vdd p18ll L=0.18u W=0.36uM6 H B vdd vdd p18ll L=0.18u W=0.36uM7 H Ci vdd vdd p18ll L=0.18u W=0.26

6、uM8 I A vdd vdd p18ll L=0.18u W=1.08uM9 J B I vdd p18ll L=0.18u W=1.08uM10 F A vss vss n18ll L=0.18u W=1.26uM11 F B vss vss n18ll L=0.18u W=2.16uM12 K B vss vss n18ll L=0.18u W=0.18u6M13 E Ci F vss n18ll L=0.18u W=2.16uM14 E A K vss n18ll L=0.18u W=0.18uM15 N A vss vss n18ll L=0.18u W=1.44uM16 N B v

7、ss vss n18ll L=0.18u W=1.44uM17 N Ci vss vss n18ll L=0.18u W=1.44uM18 L B vss vss n18ll L=0.18u W=0.54uM19 M A L vss n18ll L=0.18u W=0.54uM20 CO E vdd vdd p18ll L=0.18u W=3.96uM21 CO E vss vss n18ll L=0.18u W=2.52uM22 G E H vdd p18ll L=0.18u W=0.72uM23 G E N vss n18ll L=0.18u W=0.18u M24 G Ci J vdd

8、p18ll L=0.18u W=1.44uM25 G Ci M vss n18ll L=0.18u W=0.18uM26 S G vdd vdd p18ll L=0.18u W=3.06uM27 S G vss vss n18ll L=0.18u W=1.44u.endsx1 A B Ci Co S vdd vss MirrorC1 Co vss 0.3pfC2 S vss 0.3pfVDD vdd 0 dc vddvalue_vdd.param vddvalue_vdd=1.8vVSS vss 0 dc vddvalue_vss.param vddvalue_vss=0vvin1 Ci 0

9、PWL 2ns 0v, 3ns 1.8v, 13ns 1.8v, 14ns 0vvin2 B 0 PWL 2ns 1.8v, 13ns 1.8v, 14ns 0vvin3 A 0 PWL 13ns 0v, 14ns 1.8v.dc vin1 0,1.8,.1.dc vin2 0,1.8,.1.dc vin3 0,1.8,.1.tran 1ns 16ns.PROBE v(out) v(in)7.end二项目设计完成情况基本按照项目要求完成镜像全加器的设计,从电路图、棍棒图到前仿真的网表以及最后的版图设计和后仿真,按照步骤全部完成。1.HSPICE 前仿真:2-1 前仿真全波形图2-2 前仿真延时

10、82.版图:本次版图采用 N 阱工艺,设计规则采用 MOSIS 规则,属于 准则,其中 值定为 0.18um,由此确定了晶体管最小尺寸、有源区大小、多晶硅、金属层以及接触孔的尺寸,完成了所有的版图绘制。在绘制过程中最难的依旧是优化版图面积,需要合理的安排各个模块又不能丧失其逻辑功能,我们组在此研究了不少方案。比如减少寄生电容,把不影响延时的所有管子面子缩减到最小,能共用有源区的就共用等等。3.DRC/LVS/PEX 完成情况:2-3.1 成功跑完 DRC 图92-3.通过 LVS 图4.HSPICE 后仿真情况:在 LVS 通过的情况下进入到后仿真,自动生成 3 个文件。2-4PEX 图5.全加器面积及性能:版图面积:115.3404um2速度:1.4+1.2/2=1.3ns优点:利用资源复用减少了晶体管数目;利用逻辑变

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