半导体器件物理II必背公式+考点摘要(共14页).docx

精选优质文档-倾情为你奉上半二复习笔记1.1 MOS结构1. 费米势：禁带中心能级(EFi)与费米能级(EF)之差的电势表示2. 表面势：半导体表面电势与体内电势之差，体内EFi和表面EFi之差的电势表示3. 金半功函数差4. P沟道阈值电压注意faifn是个负值1.3 MOS原理1. MOSFET非饱和区IV公式2. 跨导定义：VDS一定时，漏电流ID随VGS变化率，反映了VGS 对ID 的控制能力3. 提高饱和区跨导途径4.衬底偏置电压VSB0，其影响5. 背栅定义：衬底能起到栅极的作用。VSB变化，使耗尽层宽度变化，耗尽层电荷变化；若VGS不变，则反型沟道电荷变化，漏电流变化1.4 频率特性1. MOSFET频率限制因素：沟道载流子的沟道运输时间（通常不是主要的限制因素） 栅电容充放电需要时间2. 截止频率：器件电流增益为1时的频率 高频等效模型如下： 栅极总电容CG看题目所给条件。若为理想，CgdT为0，CgsT约等于Cox，即