精选优质文档-倾情为你奉上开关电源EMI产生机理及整改经验总结整理：柏自飞共模（CM）干扰 变换器工作在高频情况时，由于dv/dt很高，激发变压器线圈间、以及开关管与散热片间的寄生电容，从而产生了共模干扰。如图1所示，共模干扰电流从具有高dv/dt的开关管出发流经接地散热片和地线，再由高频LISN网络（由两个50电阻等效）流回输入线路。 图1 典型开关变换器中共模、差模干扰的传播路径根据共模干扰产生的原理，实际应用时常采用以下几种抑制方法： 1）优化电路器件布置，尽量减少寄生、耦合电容。 2）延缓开关的开通、关断时间。但是这与开关电源高频化的趋势不符。 3）应用缓冲电路，减缓dv/dt的变化率。差模（DM）干扰 开关变换器中的电流在高频情况下作开关变化，从而在输入、输出的滤波电容上产生很高的di/dt，即在滤波电容的等效电感或阻抗上感应了干扰电压。这时就会产生差模干扰。故选用高质量的滤波电容（等效电感或阻抗很低）可以降低差模干扰。 辐射干扰的产生和传播 辐射干扰又可分为近场干扰测量点与场源距
