精选优质文档-倾情为你奉上集成电路设计考点1. 填空题1. NML和 NMH的概念，热电势，D触发器，D锁存器，施密特触发器。低电平噪声容限：VIL-VOL高电平噪声容限：VOH-VIH这一容限值应该大于零热电势：两种不同的金属相互接触时，其接触端与非接触端的温度若不相等，则在两种金属之间产生电位差称为热电势。2. MOS晶体管动态响应与什么有关？（本征电容P77）MOS晶体管的动态响应值取决于它充放电这个期间的本征寄生电容和由互连线及负载引起的额外电容所需要的时间。本征电容的来源：基本的MOS结构、沟道电荷以及漏和源反向偏置PN结的耗尽区。3. 设计技术（其他考点与这种知识点类似）P147怎样减小一个门的传播延时：减小CL：负载电容主要由以下三个主要部分组成：门本身的内部扩散电容、互连线电容和扇出电容。增加晶体管的宽长比提高VDD4. 有比逻辑和无比逻辑。有比逻辑：有比逻辑试图减少实现有一个给定逻辑功能所需要的晶体管数目，但它经常以降低稳定性和付出额外功耗为代价。这样的门不是
