场效应晶体管参数测试仪的设计(共31页).doc

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精 选优质文档- 倾情 为你奉上 专心-专注- 专业 西 安 邮 电 大 学 毕 业 设 计(论 文) 题 目: 场效应晶体管参数测试仪的设计 院 (系): 电子工程学院 专 业: 集成电路设计与集成系统 班 级: 学生姓名: 导师姓名: 职称: 起止时间: 精选优质文档- 倾情为你奉上 专心-专注- 专业 目录精选优质文档- 倾情为你奉上 专心-专注- 专业 摘 要 场效应晶体管与普通晶体管相比,具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳 定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件,具有与电子管相似的传输 特性。随着电子技术的飞速发展,场效应晶体管尤其是 MOSFET 已广泛应用 于电源、计算机、通信、汽车电子、工业控制及消费类电子产品等领域。因 此,对场效应晶体管相关参数的测试技术和测试手段的研究尤为重要。 本文介绍一种场效应晶体管参数测试仪的设计方法。以 51单片机为控 制核心,通过测量电路将场效应晶体管的参数显示在示波器或数字显示表上。 系统由阶梯电压信号、扫描电压、可调稳压电源、保护电路等模块组成。可 以准确测量场效应晶体管的输出特性曲线、转移特性曲线、开启电压(夹断 电压) 、饱和漏

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