精选优质文档-倾情为你奉上在对电子封装软钎焊后的元器件和系统结构进行可靠性和耐久性评价以及寿命预测时, 需要考虑的因素很多，如封装钎料的可焊性、强度、抗氧化性、抗冲击性能、蠕变及应力松弛特性、腐蚀特性、疲劳特性等。电迁移通常是指在电场作用下使金属离子发生迁移的现象。分别为发生在相邻导体表面的如常见的银离子迁移和发生在金属导体内部的金属化电子迁移。金属电迁移失效，通常是指金属层因金属离子的迁移在局部区域由质量堆积(Pileup)而出现小丘(Hillocks)或品须，或由质量亏损出现空洞(Voids)而造成的器件或互连性能退化或失效。通常在高温、强电场下引起。电迁移引起器件失效形式：短路、断路、参数退化在众多电子封装技术中，迅速发展的倒装芯片( Flip chip)工艺作为新一代封装技术则刚好可以满足越来越多的I/O互连的封装要求，因而广泛地用于微处理器、无线电子消费产品等电子封装中；伴随而来是，倒装芯片微互连焊点中的电迁移问题则成为微电子器件可靠性和耐久性的关注焦点之一。铝导线中存在电迁移破坏，这种破坏是由于晶界扩散所致。单晶的电迁移是通过晶格扩散完成，而
