泓域咨询 /第三代半导体材料项目立项报告报告说明第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两种材料是当下规模化商用最主要的选择。根据谨慎财务估算，项目总投资6326.30万元，其中：建设投资4889.42万元，占项目总投资的77.29%；建设期利息119.72万元，占项目总投资的1.89%；流动资金1317.16万元，占项目总投资的20.82%。项目正常运营每年营业收入13600.00万元，综合总成本费用10348.28万元，净利润2382.61万元，财务内部收益率29.28%，财务净现值3842.37万元，全部投资回收期5.23年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。目录一、 公司简介3二、 项目名称及建设性质3三、 项
