泓域咨询 /第三代半导体材料项目立项申请报告说明第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两种材料是当下规模化商用最主要的选择。根据谨慎财务估算，项目总投资26879.28万元，其中：建设投资21378.31万元，占项目总投资的79.53%；建设期利息251.90万元，占项目总投资的0.94%；流动资金5249.07万元，占项目总投资的19.53%。项目正常运营每年营业收入61600.00万元，综合总成本费用48507.66万元，净利润9588.25万元，财务内部收益率29.06%，财务净现值23174.90万元，全部投资回收期4.80年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。目录一、 项目名称及项目单位3二、 项目建设地点3
