华中科技大学CMOS拉扎维第二章课后作业答案中文版(共13页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上CMOS Analog DesignHome work 1 SolutionBy: 张涛（）2007年3月18日作业内容：一、书本上的习题2.22.5 (a)、(b)、(c)2.6 (a)、(b)2.72.152.82.182.24参考解答过程2.2.（1）对于NMOS，工作在饱和区时，有： = = （忽略沟长调制效应） =3.66mAV =20 A=73.3（2）对于PMOS，公式基本同上 = = （忽略沟长调制效应） =1.96mAV =10 A=19.62.5a.若不考虑二级效应，则 = 实际情况下，由于衬偏效应会影响 IXVX曲线图b.（1）当01