华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案(共7页).docx

上传人:晟*** 文档编号:8084705 上传时间:2021-11-17 格式:DOCX 页数:7 大小:149.43KB
下载 相关 举报
华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案(共7页).docx_第1页
第1页 / 共7页
华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案(共7页).docx_第2页
第2页 / 共7页
华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案(共7页).docx_第3页
第3页 / 共7页
华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案(共7页).docx_第4页
第4页 / 共7页
华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案(共7页).docx_第5页
第5页 / 共7页
点击查看更多>>
资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上31分析:对于PMOS和NMOS管二极管连接形式的CS放大电路,最大的区别在于PMOS做负载无体效应,所以这里应该考虑gmb的影响。同时,由于L=0.5,沟道长度比较短,所以,沟长调制效应也应该考虑进去。同理 VO = 1.46V 输出电阻:增益 M2换为PMOS管,则可忽略M2的体效应,同理可得增益 3.2(a) 又 增益 (b)求输出电压的最大摆幅及求输出电压最大值与最小值之差分析可知,当M1管处于临界三极管区时输出电压有最小值Vomin,此时有:有以上两式可推得 Vomin=0.27当M2管处于临界三极管区是输出电压有最大值Vomax,同理有:VSDMIN = 0.99 Vomax = VDD-VSDMIN = 2V输出电压的最大摆幅为Vomax - Vomin = 1

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 实用文档资料库 > 公文范文

Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved

工信部备案号浙ICP备20026746号-2  

公安局备案号:浙公网安备33038302330469号

本站为C2C交文档易平台,即用户上传的文档直接卖给下载用户,本站只是网络服务中间平台,所有原创文档下载所得归上传人所有,若您发现上传作品侵犯了您的权利,请立刻联系网站客服并提供证据,平台将在3个工作日内予以改正。