精选优质文档-倾情为你奉上CMOS抗总剂量辐照原理及先进加固器件【摘要】随着半导体产业的进步以及空间技术和核工程的快速发展，越老越多的CMOS集成电路被应用于辐照环境当中。因此CMOS电路面临着更加严峻的挑战。为了保证CMOS集成电路在严苛条件下的性能表现以及可靠性，抗辐照加固技术应运而生。本文从抗辐照加固的基本原理出发，分析了辐照失效的机理以及几种不同的失效模式，并简单介绍了几种不同的抗辐照加固结构。关 键 词 CMOS电路; 总剂量辐照加固; 专心-专注-专业1 辐照失效机理集成电路在辐照环境下的机理大致有以下几种形式：1 单粒子效应2 总剂量效应3 中子辐射效应4 瞬时辐射效应5 剂量增强效应6 低计量率效应。其中，导致器件失效的影响较大的辐射效应为总剂量效应（TID，Total Ionizing Dose）和单粒子效应（SEE，Single Event Effects）1。下文将具体介绍这两种辐照效应的产生方式及其对电路单元的影响。1.1 总剂量效应（TID）总剂量效应是当集成电
